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J-GLOBAL ID：200903010610967176

誘電体薄膜の製造方法および該製造方法によって作製された誘電体薄膜

Inventor： 横山 誠一 ,  伊藤 康幸 ,  牛久保 真帆 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995143243
Publication number (International publication number)：1996340084
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 従来よりも成膜温度の低温化及び短時間化、リーク電流の低減、製造プロセスの簡略化を実現するための製造方法、およびその製造方法によって製造された緻密な誘電体薄膜あるいは強誘電体薄膜を提供する。【構成】 誘電体薄膜または強誘電体薄膜の製造方法において、誘電体薄膜または強誘電体薄膜材料の成分元素から成る前駆体溶液を塗布して乾燥した後、膜中の有機物成分を熱分解除去するためのRTA加熱処理工程を省略して、塗布乾燥工程を数回繰り返して所定の膜厚とし、その後、第1の焼成工程としてRTA法による急速な昇温加熱を行い、結晶化温度のごく近傍に保持することにより有機物を熱分解して除去すると同時に、非常に微細な結晶核が成長した段階で留め、その上に上部電極薄膜を形成した後の第2の焼成工程として、結晶化温度以上で十分な時間加熱を行うことによって、誘電体薄膜または強誘電体薄膜を結晶化させる。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1の電極薄膜を形成する工程と、誘電体薄膜を構成する金属を含む前駆体溶液を製造する工程と、前記前駆体溶液を第1の電極薄膜上に塗布し、該前駆体溶液の溶媒のみを除去乾燥する工程と、前記前駆体溶液を加熱し、前記第1の電極上に誘電体薄膜を形成する第1の熱処理工程と、前記誘電体薄膜上に第2の電極薄膜を形成し、その後加熱する第2の熱処理工程とを有し、かつ第1の熱処理工程において、急速に昇温して、加熱温度を誘電体薄膜の結晶化温度のごく近傍であって、非常に微細な結晶核が成長した段階で保持し、さらに第2の熱処理工程において、誘電体薄膜の結晶化温度以上であって、十分な時間加熱で誘電体薄膜を結晶化させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

IPC (9)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 35/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 49/02

FI (7)：

H01L 27/04 C ,  C01G 35/00 B ,  C01G 35/00 C ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 49/02 ,  H01L 29/78 371