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J-GLOBAL ID:200903010621135776

封止膜を有する半導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002221212
Publication number (International publication number):2004063319
Application date: Jul. 30, 2002
Publication date: Feb. 26, 2004
Summary:
【課題】非常に優れた耐湿性を有する封止膜を優する半導体素子を提供する。【解決手段】微小押し込み試験法により算出された硬度値が4GPa以上、14GPa以下の範囲にある封止膜を有する半導体素子を提供する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
封止膜を有する半導体素子であって、前記封止膜は微小押し込み試験法により算出された硬度値が4GPa以上、14GPa以下の範囲にあることを特徴とする封止膜を有する半導体素子。
IPC (3):
H05B33/04 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14
FI (3):
H05B33/04 ,  H01L33/00 N ,  H05B33/14 A
F-Term (9):
3K007AB08 ,  3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007BB02 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  5F041AA34 ,  5F041DA61 ,  5F041FF01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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