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J-GLOBAL ID：200903010637546881

ダイナミツクランダムアクセスメモリセル

Inventor： ローランド ジー. デプチユツチ ,  フーセン チエン
Applicant, Patent owner： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテツド
Agent (1)： 小橋 一男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992086842
Publication number (International publication number)：1993136342
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ダイナミックランダムアクセスメモリセルの改良。【構成】 アクセストランジスタ上方に金属コンデンサを有し、タングステンプラグ60-66を使用して、装置基板の活性区域へコンタクトさせている。コンデンサの電荷格納プレート68用にタンタルを使用し、且つそれを酸化してコンデンサ誘電体72を与えている。該電荷格納プレート及び誘電体上にタングステン基準プレート74を付着形成し、装置上の全てのメモリセルに対する共通の基準プレートを与える。該酸化タンタル誘電体は、電荷格納プレートの側壁上にも形成され、従って該コンデンサの容量は電荷格納プレートを高くさせることにより増加させることが可能である。この構成は、適切な電荷格納容量を維持しながら全体的なセル寸法を縮小することを可能としている。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路装置用のコンデンサを製造する方法において、絶縁層上に耐火性金属層を形成し、前記耐火性金属層をパターン形成して複数個のコンデンサ電荷格納プレートを画定し、前記電荷格納プレートの側壁上及びその上部表面上に絶縁層を形成し、前記電荷格納プレート及び前記絶縁層上に金属層を形成してコンデンサ基準プレートを画定する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108