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J-GLOBAL ID：200903010641630730
低速陽電子ビーム発生装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993272800
Publication number (International publication number)：1995130499
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 RIからあらゆる方向に放出される連続エネルギー分布を持つ陽電子を効率良く減速材に導き、低速で単色の陽電子の発生効率を高めることができるようにする。【構成】 RI1から直接陽電子減速材4に向かって放出された陽電子は、そこで低速で単一のエネルギーを持つ陽電子に変換される。また、陽電子減速材4とは反対側に位置する外部球状電極3に向かって放出された陽電子も、外部球状電極3とグリッド電極2の間に形成された電界によって楕円軌道を描かせることで進行方向を変えて陽電子減速材4へ入射させることでき、低速で単色の陽電子の発生効率を高めることができる。
Claim (excerpt)：
一部を切り欠いた球状のグリッドよりなる電極と、前記グリッド電極の外側に位置し、同じ方向を切り欠くとともに同じ球中心を持ち、陽電子の減速材を兼ねた外部球状電極と、前記グリッド電極の内側に位置し、球中心から見て切り欠かれた方向と反対側に配置された陽電子を放出するラジオアイソトープと、球中心上に、若しくは球中心から見て切り欠かれた方向に配置された陽電子の減速材とを備え、前記外部球状電極を前記ラジオアイソトープ及びグリッド電極に対して正の電位に保つことを特徴とする低速陽電子ビーム発生装置。
IPC (2)：
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