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J-GLOBAL ID:200903010651616930

半導体ウェハの化学的-機械的研磨装置およびそれを用いた方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 豊 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993044500
Publication number (International publication number):1994021029
Application date: Feb. 09, 1993
Publication date: Jan. 28, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウェハの表面を平坦化するため、化学的-機械的研磨を施すにあたって、研磨の速度および繰返し使用性を向上させ、併せてオフラインでの研磨パッドの整備の必要性を少なくする。【構成】 研磨パッド202と半導体ウェハ220との間に相対的な振動を生じさせるために、研磨パッドが搭載される回転基盤206と、半導体ウェハが搭載されるキャリヤ222とのいずれかに振動発生装置、例えば超音波振動発生装置250が取付けられる。また振動発生装置は、回転基盤206、キャリヤ222、研磨スラリーが収容される容器内に取付けることもでき、この場合は研磨スラリー自体が撹拌される。研磨パッド202とウェハ222を相対的に振動させることによって、研磨の速度および繰返し使用性が向上し、また研磨パッドの使用履歴に対する感受性が低くなるとともに、研磨パッドが研磨中に自己ドレスされる。
Claim (excerpt):
平坦な表側の面を有する回転基盤と;前記基盤の表側の面に設けられ、かつ基盤とともに回転する少なくとも1つの研磨パッドであって、かつ半導体ウェハを研磨するための表側の面を有する研磨パッドと;前記研磨パッドの表側の面にスラリーを供給する手段と;研磨パッドに対向する表側の面を有し、かつ研磨パッドに対し反対側に向く背面を有するキャリヤと;前記キャリヤにおける研磨パッドに対向する面に半導体ウェハを搭載する手段と;研磨パッドと半導体ウェハとの間に相対的な振動を生起させる振動発生手段;とを有してなることを特徴とする、半導体ウェハの化学的-機械的研磨装置。
IPC (2):
H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00

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