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J-GLOBAL ID：200903010653844426

薄膜状誘電体およびその製造方法

Inventor： 三枝 邦夫
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995091182
Publication number (International publication number)：1996290903
Application date： Apr. 17, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】一般式(1)で示される組成を有し、膜厚0.02〜5μmである薄膜状誘電体。(Ax R1-x )u Cv Bw Oz (1)(式中、AはCa、Sr、Ba、Pb、Cdより選ばれた1または2以上の元素、RはLa、Ce、Y等より選ばれた1または2以上の元素、CはBi、Sc、Sb、Cr、Tlより選ばれた1または2以上の元素、Ti、Ta、Hf、W、Nb、Zrより選ばれた1または2以上の元素。xは0≦x<0.99の範囲で、u、v、w及びzは全体の電荷が0になるように決める。)有機溶媒に可溶な、元素Aの化合物、元素Rの化合物、元素Cの化合物及び元素Bの化合物を主成分として含む溶液を用いて該誘電体を製造する。【効果】従来に比べ比誘電率、比誘電率の温度係数、メモリーの保持性、スイッチング疲労特性、リーク電流特性等の誘電特性に優れる。

Claim (excerpt)：

一般式(1)で示される組成を有し、膜厚0.02〜5μmであることを特徴とする薄膜状誘電体。【化1】(Ax R1-x )u Cv Bw Oz (1)(式中、AはCa、Sr、Ba、Pb、Cdより選ばれた1または2以上の元素、RはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Yより選ばれた1または2以上の元素、CはBi、Sc、Sb、Cr、Tlより選ばれた1または2以上の元素、BはTi、Ta、Hf、W、Nb、Zrより選ばれた1または2以上の元素である。xは0≦x<0.99の範囲にあり、u、v、w及びzは全体の電荷が0になるように決められる。)

IPC (5)：

C01B 13/32 ,  C01G 29/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/33

FI (6)：

C01B 13/32 ,  C01G 29/00 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/00 H ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/06 102