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J-GLOBAL ID：200903010664409020
光弁用半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994088127
Publication number (International publication number)：1995294958
Application date： Apr. 26, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 強い光を照射でき、開口率の高い小型の光弁装置を形成できる光弁用半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素電極は画素スイッチトランジスタなどの能動素子及びキャパシターなどを含む画素の表面全体を覆うように形成され、隣接する画素電極間には光吸収層が形成され、画素電極表面は、光吸収層表面と同一平面をなすように平坦化かつ平滑化されており光反射機能を有するようにしたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路とを同一チップ内に内蔵し、該画素領域は画素スイッチトランジスタとキャパシタ領域とが形成された光弁用半導体装置において、画素電極は金属からなる光反射膜から成ることを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/015 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/78
Cited by examiner (5)
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