MOSトランジスタの製造方法およびCMOSトランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108838
Publication number (International publication number)：1997293862
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】相互拡散に起因する不都合を解消したCMOSトランジスタの製造方法の提供が望まれている。【解決手段】シリコン基体10上のゲート酸化膜12上にシリコン材料からなるゲート電極パターン13を形成する。ゲート電極パターン13をマスクにしてシリコン基体10に不純物をドーピングし、ドーピングした不純物を活性化させてシリコン基体表層部に拡散層14、16を形成する。ゲート電極パターン13を覆って層間絶縁膜17を形成する。層間絶縁膜17の上部を除去してゲート電極パターン13の上部を露出させる。露出させたゲート電極パターン13を選択的にエッチング除去する。その後、ゲート電極パターンがエッチング除去されて形成された凹部19に金属材料20を埋め込んでCMOSトランジスタを得る。

Claim (excerpt)：

シリコン基体上のゲート酸化膜上にシリコン材料からなるゲート電極パターンを形成する第1工程と、前記ゲート電極パターンをマスクにして前記シリコン基体に不純物をドーピングし、ドーピングした不純物を活性化させて前記シリコン基体表層部に拡散層を形成する第2工程と、前記ゲート電極パターンを覆って層間絶縁膜を形成する第3工程と、前記層間絶縁膜の上部を除去して前記ゲート電極パターンの上部を露出させる第4工程と、露出させたゲート電極パターンを選択的にエッチング除去する第5工程と、前記ゲート電極パターンがエッチング除去されて形成された凹部に金属材料を埋め込む第6工程と、を備えたことを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 A , H01L 27/08 321 E , H01L 27/08 321 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平1-300565
特開平3-248433
特開平4-123439

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