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J-GLOBAL ID：200903010690831954

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 石田 哲夫 ,  廣瀬 貴司 ,  米倉 広顕
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 村山 光威
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999113745
Publication number (International publication number)：2000307118
Application date： Apr. 21, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【目的】 ソース、ドレイン電極に低抵抗なアルミニウムを用いることのできる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ソース電極17、ドレイン電極16をモリブデン合金層26、アルミニウム層25、チタニウム層24の3層構造とする薄膜トランジスタにすることで、ITO画素電極23とはモリブデン合金でモリブデン合金-ITO画素電極コンタクト27を形成する構造にする。また、その製造方法においては、モリブデン合金層26とアルミニウムをリン酸、硝酸、酢酸、水の混合液でフォトレジストをマスクとして一括ウェットエッチング除去し、引き続き前記フォトレジストをマスクとしてチタニウム、低抵抗半導体層15、真性半導体層14を一括ドライエッチングすることで薄膜トランジスタを形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にゲート電極と交差して形成されたソース・ドレイン電極を設けた薄膜トランジスタにおいて、ソース・ドレイン電極を第1の金属材料と第2の金属材料と第3の金属材料で構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 616 U ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 627 C

F-Term (37)：

2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA47 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092NA28 ,  5C094AA24 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110EE23 ,  5F110GG35 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK22 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ05