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J-GLOBAL ID：200903010698981530
樹脂封止半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288378
Publication number (International publication number)：1993251619
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 素子厚の増大によるエッジショートの発生をなくし、高い量産性と実装密度の向上を図る。【構成】 内部に半導体素子を搭載する半導体装置において、内部に実装される半導体素子27の裏面の端部を薄く形成する素子裏面端部24と、フレームの枠状のダイパッド30に前記素子裏面端部24を掛け留めされる半導体素子27と、封止を行う樹脂33を設ける。
Claim (excerpt)：
内部に半導体素子を搭載する半導体装置において、(a)内部に実装される半導体素子の裏面の端部を薄く形成する素子裏面端部と、(b)フレームの枠状のダイパッドに前記素子裏面端部を掛け留めされる半導体素子と、(c)封止を行う樹脂を具備することを特徴とする樹脂封止半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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