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J-GLOBAL ID：200903010701160500

光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置

Inventor： 藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  岡部 正太郎 ,  芳里 直 ,  保野 篤司 ,  田村 秀男 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013561
Publication number (International publication number)：1994232433
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高効率で低劣化の2層タンデム型の光起電力素子を大面積にバラツキやムラなく、高速かつ連続的に形成する。【構成】 RFにより第1導電型であるn型層(P型層)とマイクロ波によるi型層と、RFによるi型層と、プラズマドーピングにより第1導電型と反対導電型である第2導電型であるP型層(n型層)と、RFにより第1導電型であるn型層(P型層)とマイクロ波によるi型層と、RFによるi型層と、プラズマドーピングにより第2導電型であるP(n型層)とを有する光起電力素子。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有する第1半導体と、マイクロ波プラズマにより形成された第1i型半導体と、高周波プラズマにより形成された第2i型半導体と、第1導電型とは反対導電型を有する第2半導体と、第1の導電型を有する第3半導体と、マイクロ波プラズマにより形成された第3i型半導体と、高周波プラズマにより形成された第4i型半導体と、第1導電型とは反対導電型を有する第4半導体と、を有し、前記第2半導体及び前記第4半導体がプラズマドーピングによって形成されていることを特徴とする光起電力素子。

FI (2)：

H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-177077
  
• 特開平4-333289
  
• 特開平4-299576
  
• 特開平1-103829
  
• 特開平3-273614