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J-GLOBAL ID：200903010711221442

薄膜形成装置

Inventor： 村上 智美 ,  森岡 善隆 ,  田野 眞志
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993095918
Publication number (International publication number)：1994310439
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】電極に使用周波数が高い25kHz以上3MHz以下用の高周波電源が接続されている薄膜形成装置を提供する。【効果】使用周波数が高い13.56MHz用の高周波電源が配設された従来の装置に比べ、誘電体33への堆積膜の付着量を減少させることができ、従って誘電体33の交換や洗浄のために生ずる装置の稼働停止率を減少させることができ、稼働率向上を図ることができる。また、電極11とマッチングボックス14とを同軸ケーブル15を用いて接続することができ、かつ従来用いられていた高周波漏洩防止用のシールドカバーをなくすことができるため、このマッチングボックス14及び電極11との接続構造を簡単にすることができ、また従来形成されていたマッチングボックスの水冷構造をなくすことができるため、全体的にメインテナンスを容易なものにすることができる。

Claim (excerpt)：

電磁波導入用の開口部を有するチャンバーと、前記開口部を封止するとともに電磁波を透過させる誘電体と、該誘電体近傍に配置される電極とを備えた薄膜形成装置において、前記電極に使用周波数が25kHz以上3MHz以下用の高周波電源が接続されていることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-159378
  
• 特開平1-315136
  
• 特開平3-161928
  
• 特開平4-232261