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J-GLOBAL ID：200903010711925474

半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路

Inventor： 堀田 泰裕
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992008740
Publication number (International publication number)：1993198191
Application date： Jan. 21, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 センスアンプの高速性、高利得を損なうことなく、センスアンプの反転電圧近傍まで高速充電を行うことができ、結果的に半導体読み出し専用メモリの高速読み出し動作が可可能になるセンス増幅回路を実現する。【構成】 半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路に充電能力の大きな充電NMOSトランジスタ11および12を設け、センス増幅回路に接続されるセンスアンプの反転電圧近傍まで高速に充電する。

Claim (excerpt)：

メモリセルの出力線であるビット線に選択回路を介して接続されたデータ線を入力とするインバータを有する電位検出回路と、該電位検出回路の出力にゲート端が接続され、ドレイン端が充電回路或は電源ラインに接続された第1充電NMOSトランジスタと、該第1充電NMOSトランジスタのソース端に、ゲート端およびドレイン端が接続され、かつソース端が該データ線に接続された第2充電NMOSトランジスタと、該電位検出回路の出力にゲート端が接続され、かつソース端が該データ線に接続された電流検出用NMOSトランジスタおよび該電流検出用NMOSトランジスタに直列接続された電流検出用負荷デバイスを有する電流検出回路とを備えた半導体読み出し専用メモリのセンス増幅回路。

IPC (2)：

G11C 17/18 ,  H01L 27/10 481

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-211398
  
• 特開平2-285593
  
• 特開昭61-230697