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J-GLOBAL ID:200903010722251793
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001043161
Publication number (International publication number):2002241442
Application date: Feb. 20, 2001
Publication date: Aug. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】均質性に優れ、解像度の高い微細パターンを得ることのできるフォトレジスト用樹脂を得る。【解決手段】下記一般式(1a)及び(1b)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。Ra及びRbは、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化水素基を示し、Rc、Rd及びRe は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示す。Xa、Xb及びXcは、同一又は異なって、-CH2-、又は-CO-O-を示す。但し、Xa、Xb及びXcのうち少なくとも1つは-CO-O-である。)で表される化合物をモノマーとして使用するフォトレジスト樹脂を提供する。
Claim (excerpt):
下記一般式(1a)及び(1b)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。Ra及びRbは、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化水素基を示し、Rc、Rd及びRe は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示す。Xa、Xb及びXcは、同一又は異なって、-CH2-、又は-CO-O-を示す。但し、Xa、Xb及びXcのうち少なくとも1つは-CO-O-である。)で表される化合物。
IPC (8):
C08F220/26
, C08F222/06
, C08F232/00
, C08K 5/00
, C08L 33/14
, C08L 35/00
, C08L 45/00
, G03F 7/039 601
FI (8):
C08F220/26
, C08F222/06
, C08F232/00
, C08K 5/00
, C08L 33/14
, C08L 35/00
, C08L 45/00
, G03F 7/039 601
F-Term (45):
2H025AA02
, 2H025AA08
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CB52
, 2H025FA17
, 4J002BG071
, 4J002BH021
, 4J002BK001
, 4J002EB116
, 4J002EE056
, 4J002EQ016
, 4J002EU186
, 4J002EV216
, 4J002EV246
, 4J002EV296
, 4J002EV326
, 4J002FD206
, 4J002GP03
, 4J100AK32R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AR11Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA11P
, 4J100BA20Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC53P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
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