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J-GLOBAL ID:200903010722251793

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001043161
Publication number (International publication number):2002241442
Application date: Feb. 20, 2001
Publication date: Aug. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】均質性に優れ、解像度の高い微細パターンを得ることのできるフォトレジスト用樹脂を得る。【解決手段】下記一般式(1a)及び(1b)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。Ra及びRbは、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化水素基を示し、Rc、Rd及びRe は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示す。Xa、Xb及びXcは、同一又は異なって、-CH2-、又は-CO-O-を示す。但し、Xa、Xb及びXcのうち少なくとも1つは-CO-O-である。)で表される化合物をモノマーとして使用するフォトレジスト樹脂を提供する。
Claim (excerpt):
下記一般式(1a)及び(1b)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。Ra及びRbは、同一又は異なって、炭素数1〜8の炭化水素基を示し、Rc、Rd及びRe は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示す。Xa、Xb及びXcは、同一又は異なって、-CH2-、又は-CO-O-を示す。但し、Xa、Xb及びXcのうち少なくとも1つは-CO-O-である。)で表される化合物。
IPC (8):
C08F220/26 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/14 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/039 601
FI (8):
C08F220/26 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/14 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/039 601
F-Term (45):
2H025AA02 ,  2H025AA08 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025FA17 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EB116 ,  4J002EE056 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU186 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EV326 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR11Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

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