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J-GLOBAL ID：200903010731813311
半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237023
Publication number (International publication number)：1998084161
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、活性層4の端面4fから、活性層4内に、活性層4に含まれない元素Nを導入し、活性層4の端面4f近傍の領域を、この元素Nを含み、活性層4よりも広いエネルギーバンドギャップを有し、且つ、その中を通じて活性層4内部で発生したレーザ光が出射される化合物材料100fに置換する。
Claim (excerpt)：
化合物半導体層の端面から、元素を導入し、前記化合物半導体層の前記端面近傍の領域を、前記化合物半導体層よりも広いエネルギーバンドギャップを有する化合物材料に置換する工程を備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Patent cited by the Patent：
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