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J-GLOBAL ID：200903010732392360

薄膜形成方法およびイオン注入方法

Inventor： 三宅 潔 ,  ▲高▼橋 宏昌 ,  大橋 健也 ,  藤井 和美
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993213789
Publication number (International publication number)：1995065761
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】特定の同位体元素を濃縮した薄膜やイオン注入層を形成する方法により、物質構造の同定や、機能性薄膜デバイスや優れた原子力プラント構造材を提供する。【構成】電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置を用いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成するのに際し、該元素の天然同位体存在比とは異なる単体物質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素を発生させるための原材料として用いることにより、薄膜あるいはイオン注入層を形成する。【効果】金属結晶の原子レベルでの構造決定,原子力プラント構造材料の低放射化や中性子経済の効率向上が図れる。

Claim (excerpt)：

電磁的質量分離機構を備えた薄膜形成装置を用いて、特定の質量数の同位体元素を含む薄膜を形成するのに際し、該元素の天然同位体存在比とは異なる単体物質あるいは化合物物質を特定の質量数の同位体元素を発生させるための原材料として用いることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01J 37/05 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/18 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 W