Pat

J-GLOBAL ID：200903010746858877

薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果型トランジスタ

Inventor： ロバート コート ハドン ,  アーサー フォスター ヘバード ,  トーマス テー.エム.パルストラ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059209
Publication number (International publication number)：1996264863
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 nチャネル電界効果型トランジスタが、そのアクティブ要素として薄膜のフラーレン(たとえばC60)を使って製造される。そのフラーレン膜は、超高真空中のデバイスのサブストレート上にデポジットされ、したがって、実質的に酸素を含まない。その後、そのチェンバの中にまだ存在している間に、フラーレン膜が酸素を通さない材料で封止される。

Claim (excerpt)：

アクティブ要素としてフラーレン膜を含んでいる薄膜電界効果型トランジスタを製造する方法であって、前記方法は、実質的に酸素を含まない前記電界効果型トランジスタのフラーレン膜を形成するステップを含んでいることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/78 617 T