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J-GLOBAL ID：200903010755784150

シリコンを化学機械研磨する技術

Inventor： リー, シジアン ,  オスターヘルド, トーマス, エイチ. ,  レデカー, フレッド, シー.
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000555286
Publication number (International publication number)：2002518845
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Jun. 25, 2002
Summary：

【要約】基板の化学機械研磨、特に、シリコンを化学機械研磨する技術を提供する。多結晶シリコンのようなシリコン層の化学機械研磨を改善するために、最初にこのシリコン層を酸化物研磨用スラリーで化学機械研磨する。次いで、基板が平坦化されるまで、シリコン層をシリコン研磨用スラリーで化学機械研磨する。基板10は、シリコンウェハ12のような半導電層上に置かれる、二酸化ケイ素のような絶縁層14を含んでいる。この絶縁層14はパターン化されるか、或いはパターン化された下側層上に配置されて、非平面の外表面を提供している。ポリシリコン層16は絶縁層14を覆うように配置される。図示のように、ポリシリコン層16の外表面は殆ど正確に絶縁層14の下側構造を再現して、基板の露出面が非平面となるように一連の山部及び谷部を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上のシリコン層を研磨する方法であって、 (a)自然酸化物を除去するため酸化物研磨用スラリーで前記シリコン層を化学機械研磨する工程と、及び (b)シリコン研磨用スラリーで前記シリコン層を化学機械研磨する工程と を含む方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/306

FI (7)：

H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 621 B ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/04 Z ,  H01L 21/306 M

F-Term (21)：

3C058AA06 ,  3C058AA07 ,  3C058AA18 ,  3C058AA19 ,  3C058AB03 ,  3C058AB08 ,  3C058AC04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA09 ,  5F043AA10 ,  5F043AA11 ,  5F043BB02 ,  5F043BB03 ,  5F043BB04 ,  5F043BB22 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07