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J-GLOBAL ID：200903010763255833

半導体レーザの製造方法

Inventor： 八重樫 浩樹 ,  堀川 英明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280315
Publication number (International publication number)：1999121856
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 リッジ幅を精密に制御することが可能で、かつ、リッジ上面の電極コンタクトを、位置ずれを生じることなく、リッジ上面の全面に形成することができる半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 リッジ型半導体レーザの製造方法において、半導体基板上に電極層(22)とエッチングマスク層(24)を順次堆積する工程と、前記電極層(22)とエッチングマスク層(24)を同じフォトレジストパターンを用いて同時にリフトオフすることによりストライプ状に形成する工程と、前記エッチングマスク層(24)を用いてドライエッチングによりリッジを形成する工程を施す。

Claim (excerpt)：

リッジ型半導体レーザの製造方法において、(a)半導体基板上に電極層とエッチングマスク層を順次堆積する工程と、(b)前記電極層とエッチングマスク層を同じフォトレジストパターンを用いて同時にリフトオフすることによりストライプ状に形成する工程と、(c)前記エッチングマスク層を用いてドライエッチングによりリッジを形成する工程を施すことを特徴とする半導体レーザの製造方法。