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J-GLOBAL ID：200903010769893416

エッチバック法

Inventor： 秋元 健司 ,  宮本 秀信 ,  田口 恒弘
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991058725
Publication number (International publication number)：1994151376
Application date： Mar. 22, 1991
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の製造工程に於て、コンタクトホール,又はビアホール内にCVD法により成膜されたブランケットタングステン膜をエッチバックする方法に関し、コンタクトホール内、ビアホール内に“す”を発生させず、表面を平滑にするエッチバックを行う。【構成】図1(a)にシリコン基板101上に形成されたコンタクトホール内にCVD法でブランケットタングステン膜103が形成されている。本発明のエッチバック法は、このタングステン膜103を塩素ガスを用いてエッチバックする方法である。エッチバック後の断面形状を図1(c)に示す。【効果】塩素ガスを用いてエッチバックすることによりコンタクトホール内に“す”を発生させず、表面の平滑なタングステンのエッチバックが実現できる。

Claim (excerpt)：

化学気相法により成膜されるタングステンの乾式食刻法を用いたエッチバックに於て、反応ガスとして塩素を用いることを特徴とするエッチバック法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-062524
  
• 特開平4-171922
  
• 特開平2-256549
  
• 特開平3-161930
  
• 特開平2-258454