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J-GLOBAL ID：200903010778795834
シリコン薄膜およびシリコン薄膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010201
Publication number (International publication number)：1993198504
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【構成】 ダイヤモンド薄膜上にシリコン薄膜を形成してレーザ照射することにより、工業的に量産できる粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を得る。【効果】 工業的に量産が可能なレーザ照射多結晶シリコン薄膜を得ることができる。また、デバイスが発生するジュール熱をダイヤモンド薄膜が放散し、デバイスの安定動作を保証することができる。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド薄膜に被着形成することを特徴とするシリコン薄膜。
IPC (5)：
H01L 21/20
, C30B 29/04
, H01L 21/302
, H01L 21/336
, H01L 29/784
