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J-GLOBAL ID：200903010779090133

低速電子線源

Inventor： 坂 貴 ,  加藤 俊宏
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995025197
Publication number (International publication number)：1996222164
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 取り出される低速電子線のエネルギー分布が十分小さい低速電子線源を提供する。【構成】 励起レーザ光29のエネルギーEが半導体光電層48のバンドギャップエネルギーEg よりも僅かに(36meV 、すなわち100meV以下の範囲で)大きい程度とされるため、低速電子線発生素子10において励起レーザ光29の照射により価電子帯から励起されて伝導帯へ遷移した光電子のエネルギーは比較的低い値となり、直接的に取り出される光電子と散乱後に取り出される光電子とのエネルギー差が小さく、36meV 以下とされる。したがって、エネルギー分布が十分に小さい低速電子線を取り出すことが可能な低速電子線源が得られる。

Claim (excerpt)：

光源と、半導体単結晶薄膜を有する低速電子線発生素子とを備え、該半導体単結晶薄膜の表面を負電子親和力状態とすると共に、前記光源から該半導体単結晶薄膜に励起光を照射することにより、低速電子線を取り出す形式の低速電子線源であって、前記励起光のエネルギーが、前記半導体単結晶薄膜のバンドギャップエネルギーよりも大きく、且つ該バンドギャップエネルギーに100meV加えた値以下の大きさに定められていることを特徴とする低速電子線源。