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J-GLOBAL ID：200903010779824528
半導体素子用のはんだバンプ形成材料
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049857
Publication number (International publication number)：1993251452
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】(1) ワイヤのさらなる細線化を図ってバンプ電極の相互間距離をより小さくし(狭ピッチ化)、LSIの高密度実装(多ピン化)を促進し得るはんだバンプの形成材料を提供する。(2) 急冷凝固法で得たワイヤを用いたバンプ形成に際し、ボール切り離し位置の安定化を図って、半導体装置の耐久性及び信頼性の向上に有用なはんだバンプの形成材料を提供する【構成】(1) Pb,Sn,Inの何か一つの主要元素に対し、0.001 wt%〜1wt%のCu、及び、0.001 wt%〜1wt%のNiを添加せしめたことを特徴とする半導体素子用のはんだバンプ形成材料。(2) 前記(1) の配合組成からなるものを急冷凝固法により細いワイヤ状に作製してなる半導体素子用のはんだバンプ形成材料。
Claim (excerpt)：
Pb,Sn,Inの何か一つの主要元素に対し、0.001 wt%〜1wt%のCu、及び、0.001 wt%〜1wt%のNiを添加せしめたことを特徴とする半導体素子用のはんだバンプ形成材料。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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