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J-GLOBAL ID：200903010779904068

シンチレータ

Inventor： 安藤 雅信 ,  沢崎 勝久 ,  中山 正昭
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (3)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002219542
Publication number (International publication number)：2004059722
Application date： Jul. 29, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【目的】機械的特性に優れることはもとより、化学的にも安定でかつ蛍光寿命も充分短い半導体シンチレータを提供する。【構成】III族窒化物系化合物半導体層からなるシンチレータである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

III族窒化物系化合物半導体からなるシンチレータ。

IPC (4)：

C09K11/00 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  G01T1/20

FI (4)：

C09K11/00 E ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  G01T1/20 B

F-Term (12)：

2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG10 ,  4H001CA08 ,  4H001XA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001XA81

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• X線発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-171865   Applicant：日本電気株式会社
• 熱蛍光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-060348   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-167260