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J-GLOBAL ID：200903010788035064
半導体加速度センサおよびそのオフセット電圧調整方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991312028
Publication number (International publication number)：1993312827
Application date： Nov. 27, 1991
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】歪ゲージなどの保護用パッシベーション膜あるいは製作誤差などに基く各所の不均一によって生じるオフセット電圧を低減する。【構成】別体の半導体基板4の上面に抵抗素子7を形成し、この抵抗素子7をホイートストンブリッジを構成する歪ゲージ2A,2B,2C,2Dのいずれか1個と直列に接続し、この抵抗素子7の抵抗値をこの抵抗の一部を除去するなどして調整してオフセット電圧を低減する。
Claim (excerpt)：
半導体からなり、厚肉状の重りと、この重りの側面と所定の間隔を有する厚肉状の支持体と、前記重りの側面と対面する支持体の側面とを連結する薄肉状の梁と、この梁の上面にこの梁の長さ方向に形成された2個の歪ゲージおよびこの梁の巾方向に形成された2個の歪ゲージとからなり、これら4個の歪ゲージでホイートストンブリッジが構成された半導体加速度センサにおいて、別体の半導体基板上に抵抗素子を形成し、この抵抗素子を前記4個の歪ゲージのうちいずれか1個の歪ゲージと直列に接続したことを特徴とする半導体加速度センサ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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