フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338659
Publication number (International publication number)：2000181064
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高集積半導体素子の微細回路製作の際、KrF(248nm)、ArF(193nm)、E-beam、イオンビーム、或いはEUVの光源を用いた光リソグラフィー工程に適したフォトレジストに用いられるフォトレジスト架橋剤を提供する。【解決手段】下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤である。(前記式で、R1及びR2は、それぞれ、炭素数1〜10のアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10のアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、及び、アセタールでなる群から選択されたものであり、R3は水素又はメチルである。)

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】(前記式で、R1及びR2は、それぞれ、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、及び、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタールでなる群から選択されたものであり、R3は水素又はメチルである。)

IPC (7)：

G03F 7/038 601 , C08F 22/06 , C08F 32/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/038 601 , C08F 22/06 , C08F 32/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ビニルアルコール系重合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-051032 Applicant：株式会社クラレ
α,β-不飽和アセタール類の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-158204 Applicant：三菱レイヨン株式会社
特開平4-346958

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