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J-GLOBAL ID：200903010799800099

縦形デバイスの集積化を用いて自己整合性CMOSインバータを形成する方法

Inventor： ラヴィ・サンダレサン ,  ヤン・パン ,  ジェームズ・リー・ヨン・メン ,  イン・キュン・レウン ,  エレハンカ・ラマチャンドラ・マーシー ,  ジア・ツェン・チェン ,  ラップ・チャン ,  エルジン・クーク
Applicant, Patent owner： チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002292329
Publication number (International publication number)：2003179160
Application date： Oct. 04, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 縦形のNMOS及びPMOSトランジスタを形成することにより密接したCMOSインバータを製造する方法を提供する。【解決手段】 酸化物層が上位のシリコン層と下位のシリコン層との間に挟まれたシリコン注入酸化物を含む基板を準備し;上位のシリコン層の第1部分の中にイオンを選択的に注入してNMOSトランジスタのドレイン、チャンネル領域及びソースを形成し;上位のシリコン層の第2部分の中にイオンを選択的に注入してPMOSトランジスタのドレイン、チャンネル領域及びソースを形成し;エッチングによりNMOS及びPMOSのソース及びチャンネル領域を通してゲートトレンチを形成し;ゲートトレンチをライニングするゲート酸化物層を形成し;ゲート酸化物層の上位にポリシリコン層を堆積し;ポリシリコン層をエッチバックしてポリシリコン側壁を形成する。

Claim (excerpt)：

密接した縦形のNMOS及びPMOSトランジスタ対を集積回路デバイス中に形成する方法であって、酸化物層が上位のシリコン層と下位のシリコン層との間に挟まれているシリコン注入酸化物を含む基板を準備し、前記上位のシリコン層の第1部分の中にイオンを選択的に注入して、NMOSトランジスタのドレイン、チャンネル領域、及びソースを形成し、ここで前記ドレインは前記酸化物層の上位に直接に形成され、ここで前記チャンネル領域は前記ドレインの上位に形成され、ここで前記ソースは前記チャンネル領域の上位に形成され、前記上位のシリコン層の第2部分の中にイオンを選択的に注入して、PMOSトランジスタのドレイン、チャンネル領域、及びソースを形成し、ここで前記ドレインは前記酸化物層の上位に直接に形成され、ここで前記PMOSチャンネル領域は前記ドレインの上位に形成され、ここで前記ソースは前記チャンネル領域の上位に形成され、そしてここで前記ドレインは前記NMOSトランジスタのドレインと接触し、エッチングにより前記NMOS及びPMOSのソース及びチャンネル領域を通してゲートトレンチを形成し、ここで前記ゲートトレンチは前記NMOS及びPMOSのドレインで終了し、そして、ここで前記ゲートトレンチは前記NMOS及びPMOSのチャンネル領域の側面部を露出させ、前記NMOS及びPMOSのチャンネル領域の上位に位置し、そして前記ゲートトレンチをライニングするゲート酸化物層を形成し、前記ゲート酸化物層の上位にポリシリコン層を堆積し、そして前記ポリシリコン層をエッチバックしてポリシリコン側壁を形成し、これによって前記密接した縦形のNMOS及びPMOSトランジスタ対のゲートを前記集積回路デバイスの製造中に形成する、前記方法。

IPC (13)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 656 ,  H01L 29/786

FI (14)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 653 D ,  H01L 29/78 656 A ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/58 G

F-Term (64)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG10 ,  4M104GG18 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC11 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG05 ,  5F048BG14 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE36 ,  5F110EE41 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19