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J-GLOBAL ID:200903010819797910

X線検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992146944
Publication number (International publication number):1993312960
Application date: May. 13, 1992
Publication date: Nov. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】各光電変換素子の検出にて特性にばらつきのないもの、加工・組立ての容易な構造としたものを得る。【構成】光電変換素子が並設された半導体層2と、この半導体層の前記光電変換素子形成面に積層されたシンチレータ層1とを備え、前記シンチレータ層には、その表面から入射されたX線が変換されて生じた可視光が隣接する光電変換素子に入射するのを防止する光遮蔽手段が設けられているX線検出器において、前記光遮蔽手段は、前記シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝6と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料4とから構成した。
Claim (excerpt):
光電変換素子が並設された半導体層と、この半導体層の前記光電変換素子形成面に積層されたシンチレータ層とを備え、前記シンチレータ層には、その表面から入射されたX線が変換されて生じた可視光が隣接する光電変換素子に入射するのを防止する光遮蔽手段が設けられているX線検出器において、前記光遮蔽手段は、前記シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料とから構成したことを特徴とするX線検出器。

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