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J-GLOBAL ID：200903010824452890

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 剛 ,  西岡 泰城
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118658
Publication number (International publication number)：1995326669
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスを簡略化し、且つ、形成された配線間の容量を低減し、半導体装置の高速動作を可能とする。【構成】 半導体装置の配線間の静電容量を減少させるため、第1と第2の金属配線間を接続させるコンタクト穴を感光性の樹脂(5)等で形成し、または、この感光性の樹脂膜をマスクとしてその下の絶縁膜をエッチングした後、この樹脂膜をそのまま層間絶縁膜として利用することとした。また、この半導体装置においては、酸素プラズマを用いたフォトレジスト除去工程やコンタクト穴を形成する際のドライエッチング工程が省略して、これらのプラズマプロセスに弱い有機物を含んだ低誘電率の層間絶縁膜を利用することとした。

Claim (excerpt)：

多層配線を有する半導体装置であって、第1と第2の金属配線の間を接続させるコンタクト穴を規定する感光性樹脂膜と、該樹脂膜を層間絶縁膜とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 S