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J-GLOBAL ID：200903010827780040

半導体装置の製造方法

Inventor： 古澤 健志 ,  町田 俊太郎 ,  龍崎 大介
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (3)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003177813
Publication number (International publication number)：2004158821
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】有機シロキサン系絶縁膜にアッシャによるダメージを与えることがなく、かつ形状劣化や異物の問題を起こすことのない、有機シロキサン系絶縁膜の高精度な孔溝加工プロセスを提供する。【解決手段】有機シロキサン系絶縁膜に上に、第2の絶縁膜と溶解液に可溶な無機薄膜を形成する。この無機薄膜をハードマスクとして有機シロキサン系絶縁膜を加工する。加工後のハードマスクは溶解液により除去する。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、 溶解液に可溶な無機薄膜を前記第2の絶縁膜の上に形成する工程と、 前記無機薄膜の上にレジストパタンを形成する工程と、 ドライエッチングにより前記レジストパタンを前記無機薄膜に転写する工程と、 前記レジストパタンを除去する工程と、 ドライエッチングにより前記無機薄膜のパタンを前記第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜に転写する工程と、 前記無機薄膜を溶液に溶解することにより除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/768 ,  H01L21/3065

FI (2)：

H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A

F-Term (45)：

5F004AA06 ,  5F004BD01 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA04 ,  5F004EA10 ,  5F004EB03 ,  5F004FA07 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24