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J-GLOBAL ID：200903010855205263

面発光型第2高調波生成素子

Inventor： 山田 範秀 ,  市村 好克
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993186877
Publication number (International publication number)：1995030181
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 常温で高効率かつ高出力の第2高調波を発生でき、しかも小型,低エネルギー消費,低製造コストの面発光型第2高調波生成素子を提供する。【構成】 共振器内の半導体結晶の〈100〉が光射方向と5°以上の角をなす場合(特に〈111〉、〈211〉、〈110〉の何れかが光射方向とほぼ一致するような場合)には、第2高調波が効率良く生成される。さらに、光射側反射鏡10とスペーサ層6との間に、III-VまたはII-VI族系化合物半導体からなる第2高調波発生層9を形成すれば、第2高調波をより高効率で生成できる。また、スペーサ層6を、超格子により形成することもでき、活性層5およびスペーサ層4,6を超格子により形成することもできる。スペーサ層や活性層に位相整合層としての作用を持たせることで高効率の第2高調波を生成することもできる。

Claim (excerpt)：

III-V族系またはII-VI族系化合物半導体結晶よりなる活性層と、該活性層の両側に形成されたスペーサ層と、さらに両スペーサ層の活性層とは反対側に位置して形成され、一方が第2高調波を所定率で透過させる、一対の反射鏡と、を共振器として有してなる面発光型第2高調波生成素子であって、前記共振器内の半導体結晶の〈100〉方位が光射方向と5°以上の角度をなすことを特徴とする面発光型第2高調波生成素子。

IPC (2)：

H01S 3/109 ,  G02F 1/37