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J-GLOBAL ID：200903010864162585
レジストパターンの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992157738
Publication number (International publication number)：1994003828
Application date： Jun. 17, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、レジストパターンを微細に形成する際にレジストパターン上部に庇が生じないようにすることができ、レジストパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができ、エッチング後のパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 下層に少なくとも樹脂及び光酸発生剤からなるポジ型化学増幅レジストを用い、該下層のポジ型化学増幅レジスト上の上層に少なくともアルカリ可溶性樹脂を含む非感光性材料を用い、該上層及び該下層をパターニングしてレジストパターンを形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
下層に少なくとも樹脂及び光酸発生剤からなるポジ型化学増幅レジストを用い、該下層のポジ型化学増幅レジスト上の上層に少なくともアルカリ可溶性樹脂を含む非感光性材料を用い、該上層及び該下層をパターニングしてレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/095
, H01L 21/027
, H01L 21/312
H01L 21/30 301 R
, H01L 21/30 361 S
