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J-GLOBAL ID：200903010874135462

半導体装置の製造方法

Inventor： 松野 知之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079923
Publication number (International publication number)：1995263452
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 活性領域に対してダメージやイオン注入機から物質による汚染をもたらすことなくフロントサイドゲッタリングにより活性領域中の汚染や欠陥を有効に除去する。【構成】 半導体ウェハ1の活性領域以外の領域5の表面にゲッタリング用物質の選択的イオン注入を行い、ゲッター層3を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの活性領域以外の領域の表面部にゲッタリング用物質の選択的イオン注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法