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J-GLOBAL ID：200903010878870728

半導体装置の製造方法、リンス液、及び半導体基板洗浄液

Inventor： 菅野 至
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 村上 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998102554
Publication number (International publication number)：1999297656
Application date： Apr. 14, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 異種の絶縁膜のエッチング量を同一にしかつエッチング量を極力抑え、また、異種絶縁膜の選択エッチングを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 酸化シリコン系絶縁膜を有する半導体基板の洗浄において、少なくともフッ化水素又はフッ化アンモニウムのいずれかを含む水溶液の処理後に、リンス液として有機溶剤、特にグリコール系溶剤、グリコール系溶剤とアルコール系溶剤との混合液、グリコール系溶剤とアルコール系溶剤と水との混合液を使用する。また、半導体基板の洗浄液として、フッ化水素とフッ化アンモニウムとグリコール系溶剤と水との混合液、フッ化水素とフッ化アンモニウムとグリコール系溶剤との混合液、フッ化アンモニウムとグリコール系溶剤との混合液を用いる。更に、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含む水溶液、又はフッ化アンモニウムと水との混合液による洗浄処理と、水洗処理とを繰り返し行う。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン系絶縁膜を有する半導体基板を洗浄する工程を含んでなる半導体装置の製造方法であって、この洗浄工程が、少なくともフッ化水素又はフッ化アンモニウムを含有する水溶液による洗浄処理と、この洗浄処理後の有機溶剤系リンス液によるリンス処理とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (5)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/306 D