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J-GLOBAL ID：200903010879399166

シリコン基板上にZnOナノ構造を堆積するための、ALDよるZnOシード層

Inventor： リサ エイチ. ステッカー ,  ジョン エフ. コンリー, ジュニア
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005305059
Publication number (International publication number)：2006124834
Application date： Oct. 19, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】金属触媒を使用することなくZnOナノ構造を成長させる手法を提供する。【解決手段】本発明の方法においては、基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、金属触媒を使用することなく、酸化亜鉛のナノ構造を成長させる手法を提供する。シード層は原子層堆積法によって形成されることが出来る(102)。このシード層の上に、少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる(103)。シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛のナノ構造を形成する方法であって、 基板を提供することと、 該基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することと、 該シード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすこと を包含する、方法。

IPC (4)：

C23C 16/40 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 29/06

FI (4)：

C23C16/40 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 601N

F-Term (13)：

4G047AA02 ,  4G047AB01 ,  4G047AD02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA24 ,  4K030BA47 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フッ化アルキル配位子を結合してなる半導体超微粒子、及びこれを含有する薄膜状成形体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-398865   Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ZnO/Al2O3 nanolaminates fabricated by atomic layer deposition: Growth and surface roughness measurem