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J-GLOBAL ID:200903010887437034
有機EL素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003202145
Publication number (International publication number):2004200141
Application date: Jul. 28, 2003
Publication date: Jul. 15, 2004
Summary:
【課題】トップエミッション型の有機EL素子において、陰極に有機層に悪影響を与える高温のアニールを必要とするITO等の金属酸化物の透明電極を形成する必要が無く、前記金属酸化物の透明電極の形成に起因する不具合をなくす。【解決手段】有機EL素子10は、陽極12と、発光層17む有機層13と、陰極14とが基板11上に順次積層され、かつ発光層17の発光が基板11と反対側から取り出されるように構成されている。陰極14は、アルカリ土類金属のカルシウムにより透明に形成された電子注入層18と、電子注入層18の有機層13に対向する面と反対側の面を覆い、電子注入層18を保護する役割を果たす金属(銀)により透明に形成された被覆層19とから構成されている。そして、陰極14の抵抗値が、前記陰極14と同形状でかつ同位置に形成されたITO(インジウム錫酸化物)製の透明電極の抵抗値以下となるように形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
陽極と、少なくとも発光層を含む有機層と、陰極とが基板上に順次積層され、かつ前記発光層の発光が前記基板とは反対側から取り出される有機EL素子であって、
前記陰極は、金属、金属合金又は金属化合物を材料として透明に形成された電子注入層と、前記電子注入層の前記有機層に対向する面と反対側の面を覆い、前記電子注入層を保護する役割を果たす金属又は金属合金により透明に形成された被覆層とから構成され、前記陰極の抵抗値が、前記陰極と同形状でかつ同位置に形成されたITO(インジウム錫酸化物)製の透明電極の抵抗値以下となるように形成されていることを特徴とする有機EL素子。
IPC (3):
H05B33/28
, H05B33/14
, H05B33/22
FI (3):
H05B33/28
, H05B33/14 A
, H05B33/22 A
F-Term (5):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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有機EL素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-076041
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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