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J-GLOBAL ID：200903010911416302

パワーモジュール用基板及びその製造方法

Inventor： 長瀬 敏之 ,  星野 孝二 ,  神田 義雄 ,  初鹿 昌文
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995142287
Publication number (International publication number)：1996335652
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】放熱特性を損なわずに、熱変形を吸収してセラミック基板の反りや割れを防止できる。【構成】セラミック基板13に金属薄板14が直接積層接着され、この金属薄板14に可塑性多孔質金属層17を介してヒートシンク18が積層接着される。ヒートシンク18はセラミック基板13と異なる熱膨張係数を有する。セラミック基板13はAl2O3により形成され、金属薄板14はCuにより形成され、可塑性多孔質金属層17は気孔率20〜50%のCuの多孔質焼結体である。またヒートシンク18はCuにより形成され、可塑性多孔質金属層17にはシリコーングリースが充填される。

Claim (excerpt)：

セラミック基板(13)に直接又はろう材(51)を介して積層接着された金属薄板(14)と、前記金属薄板(14)に可塑性多孔質金属層(17)を介して積層接着され前記セラミック基板(13)と異なる熱膨張係数を有するヒートシンク(18,48)とを備えたパワーモジュール用基板。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/373

FI (4)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/36 M