Pat

J-GLOBAL ID：200903010923090348

反射防止膜の設計方法

Inventor： 塚本 雅則 ,  中野 博之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148313
Publication number (International publication number)：1996017711
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光学定数の異なる複数の材料層が同時に露出する基板上でエキシマ・レーザ・リソグラフィを行う際に、あらゆる材料層上で定在波効果を抑制できるよう、SiOxNy:H膜(反射防止膜)の光学条件を最適化する。【構成】 MOS-FET のゲート電極とSi基板 (ソース/ドレイン領域)の双方へ接続するコンタクト・ホールのパターンをフォトレジスト(PR)膜に形成する場合、SiOxNy:H膜の光学定数n(複素振幅屈折率の実数部)を2.10に固定し、WSix(ゲート電極)/SiOxNy:H/SiOx(層間絶縁膜)/PR積層系と Si(Si基板)/SiOxNy:H/SiOx/PR積層系の各々について光学定数k(複素振幅屈折率の虚数部係数)と膜厚dを変化させた場合の定在波効果を計算し、この定在波効果が所定量(図では2%)以下となる共通の変化領域(斜線部)内でk,dを決定する。

Claim (excerpt)：

光学定数の異なる複数の材料層が露出する基板上で、これらの材料層を被覆する透明絶縁膜をパターニングするために反射防止膜を用いてフォトリソグラフィを行うに際し、該反射防止膜の光学定数(n,k)(ただし、nは複素振幅屈折率の実数部、kは同じく虚数部係数をそれぞれ表す。)および膜厚dを最適化する反射防止膜の設計方法であって、前記最適化は、前記材料層の各々について定在波効果を所定量以下に抑制し得る前記反射防止膜の光学定数(n,k)および膜厚dの変化領域を求め、これら各変化領域の共通部分に含まれる光学定数(n,k)および膜厚dを選択することにより行うことを特徴とする反射防止膜の設計方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503