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J-GLOBAL ID：200903010928571921

半導体装置

Inventor： 安藤 守
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187622
Publication number (International publication number)：1998032284
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の有効面積率を向上させる。【解決手段】 第1の能動素子が形成された第1の半導体基板60と、第2の能動素子が形成された第2の半導体基板100とが一体化された半導体装置において、前記第1の能動素子と前記第2の能動素子とは電気的に接続され、且つ第1、第2の能動素子の外部接続電極62,63,64...は複数に電気的に分離分割された前記第1の半導体基板60を用いたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の能動素子が形成された第1の半導体基板と、第2の能動素子が形成された第2の半導体基板とが一体化された半導体装置において、前記第1の能動素子と前記第2の能動素子とは電気的に接続され、且つ第1、第2の能動素子の外部接続電極は複数に電気的に分離分割された前記第1の半導体基板を用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 27/00 301

FI (2)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 27/00 301 B