DRAMの内部電圧発生装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西野卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992252903
Publication number (International publication number)：1994103762
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】DRAMの内部電圧発生装置において、消費電力の低減を図ること。【構成】内部電池でデータを保持する状態であるバッテリバックアップモード(M2)において動作しないDRAMの内部回路(DR)に定電圧(Vc)を供給する装置であって、並列に接続され、定電圧(Vc)を生成する複数の電圧生成手段(V1〜Vn)を具備し、かつ前記通常動作時のモード(M1)では全部の前記電圧生成手段(V1〜Vn)が前記DRAMの内部回路(DR)に定電圧(Vc)を供給し、前記バッテリバックアップモード(M2)では前記電圧生成手段(V1〜Vn)の一部又は全部が前記DRAMの内部回路(DR)への定電圧(Vc)の供給を停止する。

Claim (excerpt)：

バッテリバックアップモード(M2)において動作しない内部回路(DR)を含むDRAMに定電圧(Vc)を供給する装置において、定電圧(Vc)を生成し、かつ並列に接続された複数の電圧生成手段(V1〜Vn)を具備し、通常動作時のモード(M1)では全部の前記電圧生成手段(V1〜Vn)が前記内部回路(DR)に定電圧(Vc)を供給し、バッテリバックアップモード(M2)では前記電圧生成手段(V1〜Vn)の一部又は全部が前記内部回路(DR)への定電圧(Vc)の供給を停止することを特徴とするDRAMの内部電圧発生装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-152791
特開平4-070207
特開昭60-045997

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