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J-GLOBAL ID：200903010932498058

積層型半導体セラミック素子

Inventor： 三原 賢二良 ,  新見 秀明 ,  橘高 敏彦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 下市 努
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993089746
Publication number (International publication number)：1994302403
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 オーミック性を損なうことなく室温での抵抗値を低くできるとともに、抵抗変化率を大きくできる積層型半導体セラミック素子を提供する。【構成】 半導体セラミック層2と電極3とを交互に積層して積層体4(焼結体)を形成し、これにより積層型半導体セラミック素子1を構成する場合に、該セラミック素子1の空隙率を3〜15体積%とする。

Claim (excerpt)：

半導体セラミック層と電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子において、該半導体セラミック素子の空隙率を3〜15体積%としたことを特徴とする積層型半導体セラミック素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-115502
  
• 積層型半導体磁器及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224849   Applicant：株式会社村田製作所