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J-GLOBAL ID：200903010965593013
Alコンタクト構造およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021644
Publication number (International publication number)：1994216064
Application date： Jan. 18, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 Siデバイスのコンタクト構造において、バリアメタルなしに、高信頼性、低抵抗性、製造容易性を同時に実現するAlコンタクト構造を提供する。【構成】 Si基板に直接Alを接触させたコンタクト構造において、界面ゆらぎを、界面に平行な方向に10nmあたり4原子層未満に抑える。あるいはSi基板とAlコンタクトの方位関係が、界面に平行な面内でAl<220>//Si<220>であるようにAl結晶を成長する。
Claim (excerpt)：
Si基板に直接Alを接触させた構造を持つAlコンタクト構造において、Si/Al界面のゆらぎが、界面に平行な方向に10nmあたり4原子層未満であるような平坦な界面を持つことを特徴とするAlコンタクト構造。
IPC (2)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285
Cited by examiner (5)
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