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J-GLOBAL ID：200903010975425135

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 松谷 毅 ,  三浦 隆雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232122
Publication number (International publication number)：1995086507
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アナログ回路等のコイルや、マイクロマシーニングのバネや、ベン毛モータ等に利用できる微小なスパイラルパターンを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に絶縁層2が形成され、絶縁層2上に第1の配線層3が形成され、第1の配線層3上に層間絶縁層5が形成され、層間絶縁層5上に、層間絶縁層5を取り囲むように、互いに隣接する第1の配線層3の一端と第1の配線層3の他端とを接続する第2の配線層7が形成されている。第1の配線層3と第2の配線層7によりスパイラルパターンが形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の第1の配線層と、前記第1の配線層上方に形成され、互いに隣接する前記第1の配線層の一端と前記第1の配線層の他端とを接続する第2の配線層とを有し、前記第1の配線層と前記第2の配線層によりスパイラルパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822