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J-GLOBAL ID：200903010977413878

強誘電体薄膜及びその製造方法

Inventor： 木島 健 ,  鈴木 薫 ,  長澤 豊
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999223462
Publication number (International publication number)：2001048645
Application date： Aug. 06, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 PZTを薄膜化することによって生じる残留分極値の低下、抗電界の上昇等の強誘電特性の劣化や、分極疲労特性、インプリント特性等の改善を目的にする。【解決手段】 ゾルゲル法の成膜条件の最適化やシード層効果、成膜後のポストアニーリング効果および減圧アニーリング効果等を併用する。

Claim (excerpt)：

一対の電極間に配置された強誘電体薄膜であって、膜の全体あるいはその一部において、上下電極間に渡ってほぼ完全につながった結晶構造を有することを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (3)：

C04B 35/49 ,  B01J 19/00 ,  H01B 3/12 301

FI (3)：

C04B 35/49 Z ,  B01J 19/00 K ,  H01B 3/12 301

F-Term (30)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G031GA05 ,  4G031GA07 ,  4G031GA17 ,  4G075AA24 ,  4G075AA33 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BB02 ,  4G075BB10 ,  4G075BD16 ,  4G075BD26 ,  4G075CA51 ,  4G075EC21 ,  4G075FC15 ,  5G303AA03 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA02