封止剤、半導体等の封止方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002077394
Publication number (International publication number)：2003268251
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】高伸びであって高い熱応力耐性を示し、低粘度、低温速硬化性であり実用性の高い封止剤、それによって電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導体を封止する電子部品、電気回路あるいは半導体等の封止方法あるいは半導体装置の製造方法、およびそれによって半導体が封止されてなる半導体装置を提供すること。【解決手段】 (A)SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有することを特徴とする封止剤であって、封止剤を硬化させて得られる硬化物の引張破断伸びが2%以上である封止剤とすること。

Claim (excerpt)：

(A)SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有することを特徴とする封止剤であって、封止剤を硬化させて得られる硬化物の引張破断伸びが2%以上である封止剤。

IPC (4)：

C08L101/02 , C08L 83/05 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3)：

C08L101/02 , C08L 83/05 , H01L 23/30 R

F-Term (25)：

4J002AC03W , 4J002AC06W , 4J002BB00W , 4J002BG02W , 4J002BK00W , 4J002BL02W , 4J002CC03W , 4J002CF00W , 4J002CG00W , 4J002CH00W , 4J002CL00W , 4J002CM00W , 4J002CM02W , 4J002CP03X , 4J002CP09X , 4J002CP12X , 4J002GJ00 , 4J002GQ00 , 4J002GQ01 , 4J002GQ05 , 4M109AA01 , 4M109CA04 , 4M109EA01 , 4M109EB04 , 4M109EC20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

封止剤、半導体等の封止方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-075292 Applicant：鐘淵化学工業株式会社

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