マイクロ波プラズマ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992197531
Publication number (International publication number)：1993190501
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】マイクロ波プラズマ放電により被処理体の表面処理を行うにあたって表面のダメージを抑える。【構成】プラズマ発生室1の上面にマイクロ波透過窓3を介して、導波管4のマイクロ波導入口5を配置すると共に、マイクロ波導入口5からウエハ支持台2の支持面までの距離をマイクロ波の波長の1/2の整数倍に設定して、マイクロ波を前記支持面で反射するようにし、ウエハの加熱を抑える。プラズマ発生室1の上方及び下方に夫々磁極61、62を互に対向するよう配設して、プラズマ発生室1内に一様な強さの磁場を形成する。磁場の強さは、マイクロ波の周波数が2、45GHzのときに電子サイクロトロン共鳴条件を満たす875ガウスよりも若干外れた値例えば865ガウスに設定し、これにより電子のエネルギーを低く抑える。

Claim (excerpt)：

放電空間を形成するプラズマ発生室内にて被処理体を支持手段により支持し、プラズマ発生室内にマイクロ波導入口を介してマイクロ波を導入すると共に磁場形成手段により磁場を形成して、プラズマを発生させるマイクロ波プラズマ装置において、前記放電空間の磁場の強さが一様となるように磁場形成手段を構成し、前記磁場の強さを、電子サイクロトロン共鳴条件を外した磁場の強さに設定することを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-299826
特開平3-277775
特開昭64-064221

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