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J-GLOBAL ID：200903010985111678

光導波路デバイスの製造方法

Inventor：
黒田 敏裕

About 黒田 敏裕

, 
菊池 広明

About 菊池 広明


Applicant, Patent owner：
日立化成工業株式会社

About 日立化成工業株式会社


Agent (10)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  竹内 英人 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002271300
Publication number (International publication number)：2004109425
Application date： Sep. 18, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】反応性イオンエッチング法により電極形成領域をドライエッチングすることを含む光導波路デバイスの製造方法によっても、低下した外観を示さない電極を提供する光導波路の製造方法を提供すること。【解決手段】酸化シリコン膜を有するシリコン基板上に光導波路を形成した後、反応性イオンエッチング法により基板表面を露出して電極形成領域を形成し、前記領域に電極を形成する光導波路デバイスの製造方法であって、前記反応性イオンエッチング後かつ電極形成前に、基板表面を溶解可能な溶液を用いて前記露出基板表面をウェットエッチングすることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
酸化シリコン膜を有するシリコン基板上に光導波路を形成後、前記光導波路の反応性イオンエッチングにより基板表面を露出して電極形成領域を形成し、前記領域に電極を形成する光導波路デバイスの製造方法であって、前記反応性イオンエッチング後かつ電極形成前に、基板表面を溶解可能な溶液を用いて前記露出基板表面をウェットエッチングすることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
IPC (2)：
G02B6/13 ,  G02B6/12
FI (2)：
G02B6/12 M ,  G02B6/12 N
F-Term (9)：
2H047KA02 ,  2H047PA02 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047PA26 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047QA05 ,  2H047TA41
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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