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J-GLOBAL ID：200903010985396249
電子放出素子、及びそのカソードの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997137584
Publication number (International publication number)：1998312736
Application date： May. 13, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 個々のカソードを小径化し、カソードの集積度を高めることにより、安定したエミッション電流を得ることができる電子放出素子を提供する。【解決手段】 基板1表面に対して略垂直に突設された柱状或いは針状の導電性セラミクス或いは導電性酸化物からなるカソード3と、カソード3の先端側近傍に配置され且つカソード3とは電気的に絶縁されたゲート電極5とを有し、カソード3とゲート電極5との間に電界を印加することにより、カソード3から電子を放出させるように構成した。カソード3は導電性酸化物膜を構成する結晶粒と粒界の部分とのエッチング速度差を利用して柱状或いは針状に形成することができるので、容易に個々のカソード3を小径化し、カソード3の集積度を高めることができる。各カソード3の直径は数ナノメータから数十ナノメータである。
Claim (excerpt)：
基板表面に対して略垂直に突設された柱状或いは針状の導電性セラミクス或いは導電性酸化物からなるカソードと、当該カソードの先端側近傍に配置されたゲート電極との間に電界を印加することにより、当該カソードから電子を放出させることを特徴とする電子放出素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
