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J-GLOBAL ID：200903010991723235

レジスト組成物とレジストパターンの形成方法

Inventor： 小林 倫子 ,  福山 俊一 ,  大倉 嘉之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017983
Publication number (International publication number)：1993216232
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法に関し、解像性と耐ドライエッチング性に優れたレジストを実用化することを目的とする。【構成】 アルカリ可溶性樹脂とアルコキシメチルメラミンと酸発生剤とよりなるレジストにシリカゾルを添加してレジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上層レジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って後、アルカリ現像を施して上層レジストパターンを作り、この上層レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行い、このパターンを下層レジストに転写することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性樹脂とアルコキシメチルメラミンと酸発生剤とよりなるレジストに、シリカゾルを添加してなることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (8)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302