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J-GLOBAL ID：200903010996009085

薄膜半導体装置

Inventor： 小山 潤 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186265
Publication number (International publication number)：1996032081
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタにおいて、リーク電流の低減を図る。【構成】 薄膜半導体領域1のゲイト電極4の下のエッヂに接した部分に、ソース/ドレイン5,6とは逆の導電型を示す不純物領域2,3を設けることにより、ソース、ドレイン間のリーク電流を減少させる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成された島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域は第1の導電型のソースおよびドレインと、前記ソースおよびドレインの間の実質的に真性の領域と、前記真性の領域に接して、少なくとも2つの、前記ソースおよびドレインとは逆の第2の導電型の不純物領域と、を有し、前記第2の導電型の不純物領域は、ソースおよびドレインには接しず、かつ、薄膜半導体領域のエッヂに接することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500